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[分享]磁致伸缩位移传感器分离式结构设计

发布于 2025-05-01 09:01:09
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由于磁致伸缩位移传感器处于高温,其工作环境相当恶劣,处于高温环境周围,同时由于尺寸限制的因素,所以磁致伸缩位移传感器必须采用分离式结构,即探头与变送器分离。电路设计磁致伸缩位移传感器在研制过程中,设计...

由于磁致伸缩位移传感器处于高温,其工作环境相当恶劣,处于高温环境周围,同时由于尺寸限制的因素,所以磁致伸缩位移传感器必须采用分离式结构,即探头与变送器分离。

电路设计

磁致伸缩位移传感器在研制过程中,设计了两种方案:

方案一、探头接收线圈加前置运放,电路框图见图1所示。

图片alt

磁致伸缩位移传感器方案一电路

方案二、探头只有接收线圈,电路框图见图2所示。

图片alt

磁致伸缩位移传感器方案二电路

温度补偿设计

由于波速计算公式为VG= ,在温度变化 0~300℃过程中,由于材料的热弹性系数的存在,导致剪切模量 G 变小,从而影响超声波在波导丝上的传播速度,进一步影响时间变化,导致位移误差。Fe Ni 合金中超声波波速与温度的关系,其曲线如图3所示。

图片alt

FeNi 合金中超声波波速与温度的关系

本项目采用多磁铁法,其信号图如图4所示。

图片alt

磁致伸缩位移传感器多磁铁补偿法信号

弹性波信号 1 由被固定在磁致伸缩位移传感器前端的基准磁铁产生的信号,弹性波信号 2 是检测位移通过移动磁铁产生的信号。由于基准磁铁离电子部件是距离 L1 是固定的,可以作为校正依据,则有:

L2=L1×T2/T1

这可以从理论上消除温度对应变波传播速度的影响。

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